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杨静凯

学位 : 博士学位
学历 : 博士研究生毕业
出生年月 : 1986-03
入职时间 : 2014-05-06
毕业院校 : 燕山大学

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标题：

氧空位缺陷的SnO2纳米材料的制备方法、氧空位缺陷的SnO2纳米材料及使用方法

所属单位：

310

专利类型：

发明

专利范围：

国内

申请号：

202210234274.1

授权号：

202210234274.1

学校署名：

第二单位

第一作者姓名：

杨静凯,杨静凯

发明设计人：

杨静凯,杨静凯

授权日期：

2022-3-10

上一条：原位制备SnO2/SnS2异质结光催化剂的方法及其使用方法

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